ohne Drittmittelfinanzierung
'Quasi-monolithische' Integrationstechnik
Details zum Projekt
Projektlaufzeit: 1994–12/2004
Zusammenfassung
Ziel ist zunächst die Realisierung einer quasi-monolithischen Aufbautechnik, d.h. das Einbringen einzelner GaAs-FET-Chips in einem hochresistiven Silizium-Substrat. Als Anwendung sollen miniaturisierte Chip-Testfassungen und die Wiederverwendung von hochgenau charakterisierten Einzelchips in einer MMIC-Schaltung realisiert werden. Anschließend sollder Prozess technologisch optimiert und für komplexere Schaltungen mit mehreren Transistoren und für Leistungsanwendungen erweitert werden.
